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[发明专利]接触孔-CN201811562679.8在审
发明人： T.贝特拉姆斯;M.斯特格曼;A.蒂尔克;S.韦伯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：功率半导体器件包括：具有半导体主体和绝缘层的功率半导体部分构造，绝缘层布置在半导体主体的顶侧上，其中在绝缘层的顶侧上布置至少一个接触孔，其从绝缘层的顶侧出发至少部分地在绝缘层之内延伸并且被设置用于电接触在绝缘层的顶侧之下的接触区域该功率半导体器件还包括：附着力促进剂层，其被布置在功率半导体部分构造的顶侧上并且至少部分地覆盖绝缘层的顶侧和接触孔的表面；包括钨的层，其布置在附着力促进剂层上并且至少部分地覆盖附着力促进剂层，并且其在接触孔的区域内具有第一厚度，第一厚度如此安排，使得包括钨的层填充接触孔，并且其在绝缘层的顶侧的区域内具有第一厚度的第二厚度；和连接层，其被布置在包括钨的层上。
绝缘层顶侧接触孔附着力促进剂层功率半导体器件半导体主体功率半导体覆盖绝缘层填充接触孔接触区域电接触连接层延伸覆盖

[发明专利]接触孔和接触孔的刻蚀方法-CN200910201057.7有效
发明人：王新鹏;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法：对层间介质层进行第一步主刻蚀，将刻蚀进行到氮化层的上方时停止；对所述层间介质层进行第二步主刻蚀，以层间介质层下的氮化层作为刻蚀终止层；所述第一步主刻蚀采用的源功率为1500本发明还公开了采用上述方法形成的接触孔。本发明形成的接触孔，增加了接触孔金属空隙填充能力，提高了接触孔Rc均匀性，减少了CT open缺陷，减少了接触孔和栅极结构相连通而短路的可能。
接触刻蚀方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法及接触孔刻蚀结构-CN202010401268.1在审
发明人：刘俊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成主要成分为二氧化硅的层间膜；采用光刻工艺定义出多晶硅栅上接触孔和有源区上接触孔的形成区域；采用二氧化硅对多晶硅高刻蚀选择比的刻蚀工艺对所述层间膜进行第一次刻蚀直至多晶硅栅的顶面露出停止本发明还公开接触孔刻蚀结构。本发明加大对多晶硅的刻蚀量，使接触孔与多晶硅的接触面积增大，从而显著降低接触孔与多晶硅栅的接触电阻，保证器件的多晶硅栅的电阻及整个电路的性能。
接触刻蚀方法结构

[发明专利]接触孔制作方法和接触孔连接结构-CN202111252524.6在审
发明人：林筱竹;刘大伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔制作方法，包括：按设计工艺形成多晶硅、有源区和高阻连接层；多晶硅、有源区和高阻连接层上形成接触孔，所述接触孔竖直方向剖面底部宽度小于接触孔顶底部宽度；接触孔底部宽度为设计宽度。本发明还提供了一种接触孔连接结构。本发明通过改变接触孔和高阻连接层的结构，在不改变工艺的前提下，能在多晶硅和有源区接触孔对准的同时能避免高阻连接层的接触孔发生偏移，使接触孔对准高阻连接层，满足设计要求，提高器件的性能。
接触制作方法连接结构

[发明专利]接触孔的形成方法及接触孔结构-CN202211327486.0在审
发明人：张宏敏 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种接触孔的形成方法，包括：设置沟槽于衬底，沟槽填充有绝缘层；形成介质层于衬底上；形成具有开口的光阻层于介质层上；部份刻蚀对应沟槽的位置的介质层，及部份刻蚀沟槽的绝缘层，形成聚合物，并使开口贯穿介质层及部份绝缘层并延伸至沟槽的第一位置；执行聚合物清洗工序，以清除聚合物；部份刻蚀经过聚合物清洗工序的绝缘层，使开口贯穿部份绝缘层并延伸至沟槽的第二位置而形成接触孔；去除光阻层。透过聚合物清洗工序清除堆积在沟槽底部的聚合物，可改善接触孔的刻蚀速率。
接触形成方法结构

[发明专利]接触孔的制作方法以及接触孔结构-CN202211578805.5在审
发明人：孟晋辉;丁甲;张继伟 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔的制作方法以及接触孔结构。所述方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括存储单元和和覆盖所述存储单元的绝缘层，所述存储单元包括第一电极板和第二电极板，所述第二电极板远离所述第一电极板的一侧连通有初始通孔；在所述绝缘层形成沟槽，所述沟槽的底部与所述第一电极板接触；通过湿法刻蚀进一步在所述第一电极板内与所述初始通孔相对应的位置形成接触孔。本发明采用两步刻蚀的方法，既增加了接触孔和第一电极板的接触面积，又保护了中间材料层不受损耗，解决了因为刻蚀负载效应造成的第一电极板和第二电极板短路的问题。
接触制作方法以及结构

[发明专利]接触孔及接触孔插塞的制备方法-CN201110103150.1无效
发明人：倪红松;胡学清 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触孔及接触孔插塞的制备方法。所述接触孔的制备方法包括如下步骤：提供具有导电区的衬底；在所述衬底表面形成介电层；在所述衬底的导电区的位置，刻蚀所述介电层，形成接触孔；微刻蚀所述接触孔的底部，去除所述接触孔内所述衬底表面残存的绝缘物薄膜本发明的接触孔及接触孔插塞的制备方法能够有效降低接触电阻。
接触孔插塞制备方法

[发明专利]信号孔接触件-CN201910587859.X在审
发明人：张韩斌;李斌;王建雨 -专利权人：中航光电科技股份有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01R13/10 文献下载
摘要：本发明有关于一种信号孔接触件，包括与绝缘壳体装配配合的限位槽，该限位槽包括两侧用于防止插针偏摆或斜插的限位部和底部用于引导插针移动方向的引导部，两限位部上端分别与一个接触臂连接，两个接触臂末端内侧相对设置有用于与另一端的插针接触件接触实现信号导通的接触凸点
限位部接触臂接触件限位槽信号孔插针凸筋针脚长度方向延伸插针接触件过盈配合接触凸点绝缘壳体相对设置信号导通移动方向上端安装槽绝缘壳偏摆限位斜插装配背离体内配合

[发明专利]接触孔工艺方法-CN202111441768.9在审
发明人：麻尉蔚;徐晓林 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔工艺方法，包含：S1：依次形成第一接触孔阻挡层以及第一内层电介质层，进行第一次接触孔刻蚀工艺，去除第一段接触孔处的第一内层电介质层以及第一接触孔阻挡层，形成第一段接触孔，在第一段接触孔中进行第一金属填充；S2：依次形成第二接触孔阻挡层以及第二内层电介质层，进行第二次接触孔刻蚀工艺，去除第二段接触孔处的第二内层电介质层以及第二接触孔阻挡层，形成第二段接触孔，在第二段接触孔中进行第二金属填充。据此，本发明能够达到的技术效果在于，通过两次接触孔的刻蚀，减小深宽比，降低刻蚀难度；并且较小的深宽比的金属填充也比较容易。
接触工艺方法

[发明专利]接触孔填充方法-CN200910054397.1有效
发明人：聂佳相;何伟业;刘盛;孔祥涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔填充方法，包括：提供一个表面具有至少一个接触孔开口的衬底；在接触孔的侧壁和衬底表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成第一金属层，所述第一金属层的金属晶粒尺寸小于0.2微米；在第一金属层表面形成第二金属层，直至填充所述接触孔。本发明能够使得接触孔填充的金属阶梯覆盖性比较好，减小了接触孔的电阻，提高了接触孔性能。
接触填充方法

[发明专利]接触孔刻蚀方法-CN201110146741.7有效
发明人：陈广龙;张可钢;陈昊瑜 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔刻蚀方法，与现有的接触孔刻蚀方法相比，本发明的主要区别如下：其一，去除需要连接接触孔的多晶硅栅极上的氮化硅。其二，将现有方法的一次光刻将有源区上的接触孔和多晶硅栅极上的接触孔同时刻出改为两次光刻；第一次是有源区上的接触孔光刻和刻蚀，第二次是多晶硅栅极上的接触孔光刻和刻蚀。本发明可以精确控制光刻工艺的关键尺寸，从而对多晶硅栅极上的接触孔的尺寸就可以精确控制。还可以缩小接触孔的最小设计尺寸，从而减小半导体器件的面积。
接触刻蚀方法

[发明专利]接触孔检测方法-CN201711346988.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔检测方法。接触孔检测方法包括步骤：1）提供一衬底，衬底具有一底层、一表层及在底层与表层之间的金属层，表层内形成有至少一个接触孔，接触孔具有侧壁和底部；2）于衬底的表层上形成一导电层，导电层更覆盖接触孔的侧壁和底部；3）向接触孔内注入电子；及，4）将导电层通电后检测接触孔的底部是否连通至金属层，并观测衬底的表面电子分布状态，衬底的表面电子分布状态包含接触孔的底部。本发明的接触孔检测方法操作简单，检测过程快速方便，尤其是在接触孔的深宽比比较大的情况下，采用本发明的接触孔检测方法能快速检测出存在底部未打开的接触孔的产品，以避免其流入下一个工艺造成更大的经济损失。
接触检测方法

[发明专利]接触孔刻蚀方法-CN201310630330.4无效
发明人：李程;吴敏;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔刻蚀方法，根据工艺需求来增加沉积的介质层厚度和/或减小正常的介质层去除厚度，以补偿在工艺进行中介质层出现的非必要损耗，减小工艺完成后的介质层与标准介质层厚度的差异性。本发明在接触孔刻蚀工艺中，通过增加介质层沉积厚度和/或减小化学机械研磨的厚度，来使得最终得到的介质层厚度等于标准的层间介质层厚度，有利于器件性能的提升；同时无需对现有制程做出调整，具有较强的可行性。
接触刻蚀方法

[发明专利]接触孔结构的形成方法及该接触孔结构-CN201911052495.1在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种接触孔结构的形成方法及该接触孔结构，包括：在介质层上形成凹槽；依次在凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，浸润层的在形成的过程中在凹槽的开口处形成突起结构；对浸润层进行回刻蚀以去除突起结构本申请通过在接触孔的凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层后，对浸润层进行回刻蚀以去除突起结构，从而扩大了凹槽的开口尺寸，便于后续的导电材料填充，解决了因为浸润层的突起结构导致凹槽开口尺寸较小所带来的器件制造良率较低的问题
浸润层扩散阻挡层突起结构接触孔铜层去除器件制造回刻蚀铜籽晶侧壁良率导电材料填充凹槽开口表面沉积介质层开口处填充申请开口

[发明专利]一种接触孔测试结构和接触孔测试方法-CN202310345608.7在审
发明人：曾繁中;宋永梁;刘倩倩 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明的一种接触孔测试结构和接触孔测试方法，接触孔测试结构包括设置于半导体衬底上的有源区接触孔测试结构、多晶硅接触孔测试结构、第一漏电测试结构以及第二漏电测试结构。其中，有源区接触孔测试结构包括若干串联的第一链条，多晶硅接触孔测试结构包括若干串联的第二链条，有源区接触孔测试结构和多晶硅接触孔测试结构的延伸方向相同；第一漏电测试结构包括若干第三链条，每一第三链条对应插入两相邻的第一链条之间；第二漏电测试结构通过二极管结构与有源区接触孔测试结构连接，第二漏电测试结构包括若干第四链条，每一第四链条对应插入两相邻的第二链条之间。
一种接触测试结构方法

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